（原标题：HBM霸主SK海力士产能版图再扩张：欲斥资近39亿美元在韩新建DRAM生产基地）正规炒股配资网站

智通财经APP获悉，AI芯片霸主英伟达(NVDA.US)的最核心HBM存储系统供应商SK海力士(SK Hynix)计划扩大人工智能基础设施的核心硬件组件——HBM存储系统等下一代动态随机存取存储(DRAM)芯片的产能。据了解，这家韩国存储芯片制造商计划投资约5.3万亿韩元(大约38.6亿美元)，在韩国忠清北道的清州建造M15X晶圆厂，作为新的DRAM存储芯片大型生产基地。此前不久SK海力士宣布计划投资约40亿美元，在美国建立大型的芯片先进封装工厂。

据了解，这项大型建设将于4月底开始，预计可能于2025年11月完工，并进行早期的存储芯片批量生产。从长远角度来看，随着AI所需的硬件设备投资规模逐步增加，新生产基地的长期总投资额可能将超过20万亿韩元。

SK海力士总裁兼首席执行官Kwak Noh-Jung表示:“M15X将成为向世界提供人工智能关键存储设备的最核心生产设施，将成为连接公司现在和未来的跳板。”

在全球科技企业布局AI的这股前所未有狂热浪潮中，SK海力士提供的HBM存储系统可谓AI最核心基础设施之一，其重要性与英伟达H100等AI GPU并驾齐驱。该公司在HBM市场占据绝对的主导地位，SK海力士为英伟达高性能AI GPU——H100/H200 HBM存储系统的独家供应商，此外，SK海力士当前已开始全面量产集成英伟达AI GPU的新一代HBM存储——HBM3E，首批出货已经于3月交付给英伟达。

HBM是一种高带宽、低能耗的存储技术，专门用于高性能计算和图形处理领域。通过基于3D堆叠工艺的先进封装，多个DRAM存储芯片能够堆叠在一起形成HBM存储系统，并且通过微细的Through-Silicon Vias(TSVs)进行数据传输，从而实现高速高带宽的数据传输。

HBM主要用于高性能图形卡、AI加速、高性能计算和数据中心服务器等领域，其高带宽特性，以及极低延迟和高能效比使得处理器能够更快地访问存储空间，大幅提高计算性能和效率。在AI基础设施领域，HBM存储系统搭配英伟达H100 AI GPU系统，以及即将量产的B200和H200等AI GPU系统使用。华尔街大行高盛日前发布研报称，预计HBM存储的市场总规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率高达77%)，从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。

HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。

另外，SK海力士还计划按照当初制定的计划，向韩国龙仁半导体产业园区投资120万亿韩元左右。

该公司指出，这些投资规模是为了配合人工智能芯片需求的极度快速增长步伐，尤其是HBM存储系统，并且该公司预计服务器高容量DDR5模块产品需求也将稳步增长。

据媒体报道，这家总部位于韩国的存储巨头还打算投资约40亿美元，在美国印第安纳州西拉斐特建立大型的芯片先进封装工厂正规炒股配资网站，力争扩张HBM存储产能以满足英伟达庞大需求，预计该先进封装厂将于2028年开始运营并初步投产。